型号:

BUV21G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:TRANS NPN 200V 40A BIPO TO-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BUV21G PDF
标准包装 100
系列 SWITCHMODE™
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 40A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 200V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 1.5V @ 3A,25A
电流 - 集电极截止(最大) 3mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 20 @ 12A,2V
功率 - 最大 250W
频率 - 转换 8MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-204AE
供应商设备封装 TO-3
包装 托盘
其它名称 BUV21G-ND
BUV21GOSOS
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